Firma Samsung ogłosiła, że rozpoczyna masową produkcję pierwszych w branży 64 gigabajtowych (GB) modułów pamięci RDIMM (Registered Dual Inline Memory Modules) DDR4 (Double Data Rate-4), która wykorzystuje trójwymiarową (3D) technologię pakietów określaną jako „through silicon via” (TSV). Ten nowy moduł o wysokiej gęstości i wydajności odegra kluczową rolę w zapewnieniu dalszego rozwoju serwerów klasy Enterprise oraz aplikacji chmurowych, jak również w dalszej dywersyfikacji rozwiązań dla centrów danych.
Nowa pamięć RDIMM zawiera 36 chipów DDR4 DRAM, a każdy z nich składa się z czterech 4-gigabitowych (Gb) układów scalonych DDR4 DRAM. Chipy o niskim poborze energii produkowane są przy użyciu najbardziej zaawansowanego procesu technologicznego klasy wykonania 20 nanometrów (nm)* firmy Samsung, a także z wykorzystaniem technologii pakietów 3D TSV.
Masowa produkcja modułów 3D TSV przez firmę Samsung wyznacza nowy trend w technologii pamięci, który jest poprzedzony przez ubiegłoroczne rozpoczęcie produkcji pamięci flash 3D Vertical NAND (V-NAND). Technologia 3D V-NAND wykorzystuje struktury komórkowe z pionowymi wiązaniami, natomiast 3D TSV to innowacyjna technologia pakietów, która polega na pionowym łączeniu spiętrzonych układów scalonych. Wprowadzenie nowych modułów pamięci TSV jeszcze bardziej umacnia pozycję firmy Samsung jako lidera technologicznego w obszarze „pamięci 3D”.
